Numerical modeling of hole interband tunneling in wurtzite GaN and SiC

Tipo di pubblicazione: Articolo su rivista
Tipologia MIUR: Contributo su Rivista > Articolo in rivista
Titolo: Numerical modeling of hole interband tunneling in wurtzite GaN and SiC
Autori: H.-E. Nilsson; A. Martinez; E. Ghillino; U. Sannemo; E. Bellotti; Goano M.
Autori di ateneo:
Titolo del periodico: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Tipo di referee: Tipo non specificato
Volume: 90
Intervallo pagine: pp. 2847-2852
ISSN: 0021-8979
Data: 2001
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione:
Parole chiave:
Dipartimenti (originale): DELEN - Dipartimento di Elettronica
Dipartimenti: DET - Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
URL correlate:
    Area disciplinare: Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ELETTRONICA
    Data di deposito: 30 Gen 2007 10:26
    Data ultima modifica (IRIS): 26 Ott 2017 15:46:02
    Data inserimento (PORTO): 28 Ott 2017 02:04
    Numero Identificativo (DOI): 10.1063/1.1388169
    Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/1400944
    Link resolver URL: Link resolver link
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