Nanoscale compositional fluctuations in multiple InGaAs/GaAs quantum wires

Tipo di pubblicazione: Articolo su rivista
Tipologia MIUR: Contributo su Rivista > Articolo in rivista
Titolo: Nanoscale compositional fluctuations in multiple InGaAs/GaAs quantum wires
Autori: Catalano M., Taurino A., Lomascolo M., Vasanelli L., De Giorgi M., Passaseo A., Rinaldi R., Cingolani R., Mauritz O., Goldoni G., Rossi F., Molinari E., Crozier P.
Autori di ateneo:
Titolo del periodico: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Tipo di referee: Tipo non specificato
Editore: AIP American Institute of Physics
Volume: 87
Numero: 5
Intervallo pagine: pp. 2261-2264
Numero di pagine: 4
ISSN: 0021-8979
Abstract: An accurate analysis of nanoscale compositional fluctuations in InGaAs/GaAs quantum wires grown by metalorganic chemical vapor deposition on V-grooved substrates was performed by means of high-spatial-resolution transmission electron microscopy techniques. Small In fluctuations (2%-3% excess indium), spatially localized over approximately 5 nm, were detected and related to changes in the photoluminescence and photoluminescence excitation spectra
Data: 2000
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione: Inglese
Parole chiave:
Dipartimenti (originale): DIFIS - Fisica
Dipartimenti: DISAT - Dipartimento Scienza Applicata e Tecnologia
URL correlate:
Area disciplinare:
Data di deposito: 05 Ott 2006 13:59
Data ultima modifica (IRIS): 15 Ott 2013 11:53:28
Data inserimento (PORTO): 21 Feb 2015 18:11
Numero Identificativo (DOI): 10.1063/1.372170
Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/1405226
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Citazioni:

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