Intrinsic exciton-exciton coupling in GaN-based quantum dots: Application to solid-state quantum computing

Tipo di pubblicazione: Articolo su rivista
Tipologia MIUR: Contributo su Rivista > Articolo in rivista
Titolo: Intrinsic exciton-exciton coupling in GaN-based quantum dots: Application to solid-state quantum computing
Autori: De Rinaldis S; D'Amico I; Biolatti E; Rinaldi R; Cingolani R; Rossi F.
Autori di ateneo:
Titolo del periodico: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS
Tipo di referee: Tipo non specificato
Editore: APS The American Physical Society
Volume: 65
Numero: 8
Intervallo pagine: 081309-1-081309-4
Numero di pagine: 4
ISSN: 1098-0121
Abstract: In this Rapid Communication we propose to use GaN-based quantum dots as building blocks for solid-state quantum-computing devices. The existence of a strong built-in electric field induced by the spontaneous polarization and by the piezoelectricity is exploited to generate entangled few-exciton states in coupled quantum dots without resorting to external fields. More specifically, we shall show how the built-in field induces intrinsic exciton-exciton coupling, which can be used to realize basic quantum information processing on a sub-picosecond time scale
Data: 2002
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione: Inglese
Parole chiave:
Dipartimenti (originale): DIFIS - Fisica
Dipartimenti: DISAT - Dipartimento Scienza Applicata e Tecnologia
URL correlate:
Area disciplinare: Area 02 - Scienze fisiche > FISICA DELLA MATERIA
Data di deposito: 14 Lug 2008 15:15
Data ultima modifica (IRIS): 15 Ott 2013 11:53:10
Data inserimento (PORTO): 16 Apr 2016 19:56
Numero Identificativo (DOI): 10.1103/PhysRevB.65.081309
Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/1405236
Link resolver URL: Link resolver link
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