Optical properties of hydrogenated amorphous silicon

Tipo di pubblicazione: Articolo su rivista
Tipologia MIUR: Contributo su Rivista > Articolo in rivista
Titolo: Optical properties of hydrogenated amorphous silicon
Autori: F. Demichelis, E. Minetti‐Mezzetti, A. Tagliaferro, E. Tresso, P. Rava, N.M. Ravindra
Autori di ateneo:
Titolo del periodico: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Tipo di referee: Tipo non specificato
Editore: AIP
Volume: 59
Intervallo pagine: pp. 611-618
Numero di pagine: 8
ISSN: 0021-8979
Abstract: A detailed study of the optical properties of sputtered hydrogenated amorphous silicon films with varying hydrogen concentration is presented here. The energy dependence of the absorption coefficient is looked into, in detail, from a point of view of understanding the well known Tauc rule and the alternate relations being proposed in recent years. Spectroscopic and band‐structural models like Wemple-Didomenico and Penn are then utilized to analyze the optical parameters near the band‐gap region of the wavelength spectra. Extensive comparisons of our results are made with those of sputtered a‐Si:H films of other workers, glow discharge prepared a‐Si:H, chemically vapor deposited and evaporated a‐Si, and also crystalline silicon. The similarities in the variation of the optical properties of a‐Si:H with increasing hydrogen concentration (or decreasing measurement temperature) to that of crystalline silicon with decreasing measurement temperature lead us to interesting conclusions. Thus, it seems that decreasing disorder (topological or thermal) in a‐Si:H is equivalent to decreasing thermal disorder in c‐Si, at least as far as the disorder‐optical property relationships are concerned
Data: 1986
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione:
Parole chiave:
Dipartimenti (originale): NON SPECIFICATO
Dipartimenti: DISAT - Dipartimento Scienza Applicata e Tecnologia
URL correlate:
    Area disciplinare:
    Data di deposito: 05 Ott 2006 14:00
    Data ultima modifica (IRIS): 15 Ott 2013 11:53:43
    Data inserimento (PORTO): 25 Feb 2015 15:31
    Numero Identificativo (DOI): 10.1063/1.336620
    Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/1406407
    Link resolver URL: Link resolver link
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