Analysis of output NDR in power AlGaAs/GaAs HBTs by means of a thermal-fully hydrodynamic model / Benvenuti, A; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; Naldi, C; Karner, M; Schaper, K.. - (1993), pp. 499-502. (Intervento presentato al convegno International Semiconductor Device Research Symposium tenutosi a Charlottesville, USA nel 1-3 December).
Analysis of output NDR in power AlGaAs/GaAs HBTs by means of a thermal-fully hydrodynamic model
BONANI, Fabrizio;GHIONE, GIOVANNI;
1993
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
https://hdl.handle.net/11583/1407953
Attenzione
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo