Analysis of output NDR in power AlGaAs/GaAs HBTs by means of a thermal-fully hydrodynamic model / Benvenuti, A; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; Naldi, C; Karner, M; Schaper, K.. - (1993), pp. 499-502. (Intervento presentato al convegno International Semiconductor Device Research Symposium tenutosi a Charlottesville, USA nel 1-3 December).

Analysis of output NDR in power AlGaAs/GaAs HBTs by means of a thermal-fully hydrodynamic model

BONANI, Fabrizio;GHIONE, GIOVANNI;
1993

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11583/1407953
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