On the Substrate Thermal Optimization in SiC-Based Backside-Mounted High-Power GaN FETs / Cappelluti, Federica; Furno, M; Angelini, A; Bonani, Fabrizio; Pirola, Marco; Ghione, Giovanni. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 54:(2007), pp. 1744-1752. [10.1109/TED.2007.899380]

On the Substrate Thermal Optimization in SiC-Based Backside-Mounted High-Power GaN FETs

CAPPELLUTI, Federica;BONANI, Fabrizio;PIROLA, Marco;GHIONE, GIOVANNI
2007

File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
04252358.pdf

accesso aperto

Tipologia: 2. Post-print / Author's Accepted Manuscript
Licenza: PUBBLICO - Tutti i diritti riservati
Dimensione 306.96 kB
Formato Adobe PDF
306.96 kB Adobe PDF Visualizza/Apri
Pubblicazioni consigliate

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11583/1642255
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo