Hydrogenated amorphous silicon-nitrogen alloys, a-SiN:H, a wide band gap material for optoelectronic devices

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Tipo di pubblicazione: Articolo su rivista
Tipologia MIUR: Contributo su Rivista > Articolo in rivista
Titolo: Hydrogenated amorphous silicon-nitrogen alloys, a-SiN:H, a wide band gap material for optoelectronic devices
Autori: F. Demichelis; G. Crovini; Giorgis F.; C.F. Pirri; E. Tresso
Autori di ateneo:
Titolo del periodico: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Tipo di referee: Tipo non specificato
Volume: 79
Intervallo pagine: 1730-
ISSN: 0021-8979
Data: 1996
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione: Inglese
Parole chiave:
Dipartimenti (originale): NON SPECIFICATO
Dipartimenti: DISAT - Dipartimento Scienza Applicata e Tecnologia
URL correlate:
    Area disciplinare: Area 02 - Scienze fisiche > FISICA DELLA MATERIA
    Area 02 - Scienze fisiche > FISICA SPERIMENTALE
    Data di deposito: 09 Dic 2007 00:40
    Data ultima modifica (IRIS): 23 Mag 2017 15:46:08
    Data inserimento (PORTO): 25 Mag 2017 02:03
    Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/1661152
    Link resolver URL: Link resolver link
    Citazioni:

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