Optoelectronic properties, defect structure and composition of a-SiC:H films grown in undiluted and H2 diluted silane-methane plasma

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Tipo di pubblicazione: Articolo su rivista
Tipologia MIUR: Contributo su Rivista > Articolo in rivista
Titolo: Optoelectronic properties, defect structure and composition of a-SiC:H films grown in undiluted and H2 diluted silane-methane plasma
Autori: A. Desalvo; F. Giorgis; Pirri C.; E. Tresso; R. Galloni; R. Rizzoli; C. Summonte; P. Rava
Autori di ateneo:
Titolo del periodico: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Tipo di referee: Tipo non specificato
Volume: 81
Intervallo pagine: pp. 7973-7980
Numero di pagine: 8
ISSN: 0021-8979
Data: 1997
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione: Inglese
Parole chiave:
Dipartimenti (originale): NON SPECIFICATO
Dipartimenti: DISAT - Dipartimento Scienza Applicata e Tecnologia
URL correlate:
    Area disciplinare:
    Data di deposito: 09 Dic 2007 09:30
    Data ultima modifica (IRIS): 08 Feb 2016 10:17:45
    Data inserimento (PORTO): 10 Feb 2016 03:57
    Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/1661239
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