Self-aligned proton implantation GaAs MESFET devices

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Tipo di pubblicazione: Articolo in atti di convegno
Tipologia MIUR: Contributo in Atti di Convegno (Proceeding) > Contributo in atti di convegno
Titolo: Self-aligned proton implantation GaAs MESFET devices
Autori: A. Carnera; A. Cetronio; P. Deustacchio; A. Gasparotto; Ghione; Lanzieri; Peroni E; Pirola M.
Autori di ateneo:
Titolo del convegno: European Gal­lium Arsenide and Related Compounds Application Symposium
Luogo dell'evento: Noordwijk, The NetherLands
Data dell'evento: April
Data: 1992
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione: Inglese
Parole chiave:
Dipartimenti (originale): NON SPECIFICATO
Dipartimenti: DET - Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
URL correlate:
    Area disciplinare:
    Data di deposito: 09 Feb 2008 11:41
    Data ultima modifica (IRIS): 09 Lug 2012 13:37:10
    Data inserimento (PORTO): 24 Ott 2014 20:43
    Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/1663436
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