Influence of parasitic capacitance variations on 65 nm and 32 nm predictive technology model SRAM core-cells

Tipo di pubblicazione: Articolo in atti di convegno
Tipologia MIUR: Contributo in Atti di Convegno (Proceeding) > Contributo in atti di convegno
Titolo: Influence of parasitic capacitance variations on 65 nm and 32 nm predictive technology model SRAM core-cells
Autori: Di Carlo, S.; Prinetto, P.; Savino, A.; Scionti, A.
Autori di ateneo:
Intervallo pagine: pp. 411-416
Tipo di referee: Comitato scientifico
Editore: IEEE Computer Society
ISBN: 9780769533964
Titolo del convegno: IEEE 17th Asian Test Symposium (ATS)
Luogo dell'evento: Sapporo, JP
Data dell'evento: 24-27 Nov. 2008
Rilevanza dell'evento: Internazionale
Luogo di pubblicazione: Los Alamitos (CA)
Abstract: The continuous improving of CMOS technology allows the realization of digital circuits and in particular static random access memories that, compared with previous technologies, contain an impressive number of transistors. The use of new production processes introduces a set of parasitic effects that gain more and more importance with the scaling down of the technology. In particular, even small variations of parasitic capacitances in CMOS devices are expected to become an additional source of faulty behaviors in future technologies. This paper analyzes and compares the effect of parasitic capacitance variations in a SRAM memory circuit realized with 65 nm and 32 nm predictive technology models
Data: 2008
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione: Inglese
Parole chiave: sram chips, random access memory, digital circuits, cmos technology, cmos memory circuits, cmos digital integrated circuits, digital system design test and verification
Dipartimenti (originale): DAUIN - Dipartimento di Automatica Informatica
Dipartimenti: DAUIN - Dipartimento di Automatica e Informatica
URL correlate:
Area disciplinare: Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > SISTEMI DI ELABORAZIONE DELLE INFORMAZIONI
Data di deposito: 16 Set 2016 19:16
Data ultima modifica (IRIS): 06 Ott 2016 10:12:09
Data inserimento (PORTO): 08 Ott 2016 04:52
Numero Identificativo (DOI): 10.1109/ATS.2008.13
Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/1845210
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