Physics-based electro-thermal simulation and photoconductance measurement of the channel T-distribution in high-power GaN HEMTs / Cappelluti, Federica; Bonani, Fabrizio; Ghione, Giovanni; DI CARLO, A; Reale, A.. - In: INTERNATIONAL JOURNAL OF MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY. - ISSN 1553-0396. - 3:(2008), pp. 175-182.

Physics-based electro-thermal simulation and photoconductance measurement of the channel T-distribution in high-power GaN HEMTs

CAPPELLUTI, Federica;BONANI, Fabrizio;GHIONE, GIOVANNI;
2008

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11583/1851875
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