Raman signature of electron-electron correlation in chemically doped few-layer graphene

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Tipo di pubblicazione: Articolo su rivista
Tipologia MIUR: Contributo su Rivista > Articolo in rivista
Titolo: Raman signature of electron-electron correlation in chemically doped few-layer graphene
Autori: Bruna M.; Borini S.
Autori di ateneo:
Titolo del periodico: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS
Tipo di referee: Tipo non specificato
Editore: American Physical Society
Volume: 83
Numero di pagine: 4
ISSN: 1098-0121
Abstract: We report an experimental Raman study of few-layer graphene after chemical doping achieved by a plasma process in CHF3 gas. A systematic reduction of both the splitting and the area of the 2D band is observed with increasing doping level. Both effects can be ascribed to the electron-electron correlation, which, on the one hand, reduces the electron-phonon coupling strength and, on the other hand, affects the probability of the double-resonance Raman process
Data: 2011
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione: Inglese
Parole chiave: graphene grafene raman phononi electron-electron interaction multibody correlation correlated nanotechnology resonance
Dipartimenti (originale): DIFIS - Fisica
Dipartimenti: NON SPECIFICATO
URL correlate:
Area disciplinare:
Data di deposito: 21 Nov 2011 11:06
Data ultima modifica (IRIS): 09 Mag 2016 12:03:44
Data inserimento (PORTO): 11 Mag 2016 03:41
Numero Identificativo (DOI): 10.1103/PhysRevB.83.241401
Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/2461184
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Citazioni:

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