Ground-state power quenching in two-state lasing quantum dot lasers

Tipo di pubblicazione: Articolo su rivista
Tipologia MIUR: Contributo su Rivista > Articolo in rivista
Titolo: Ground-state power quenching in two-state lasing quantum dot lasers
Autori: Mariangela Gioannini
Autori di ateneo:
Titolo del periodico: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Tipo di referee: Esperti anonimi
Editore: American Institute of Physics
Volume: 111
Numero: 4
Intervallo pagine: 043108-1-043108-9
Numero di pagine: 9
ISSN: 0021-8979
Abstract: The paper analyses theoretically the quenching of the ground state (GS) power observed in InAs/GaAs quantum dot lasers when emitting simultaneously from both ground state and excited state. The model, based on a set of rate equations for the electrons, holes, and photons, shows that the power quenching is caused by the different time scales of the electron and hole intra-level dynamic, as well as by the long transport time of the holes in the GaAs barrier. The results presented also evidence how the very different dynamics of electrons and holes have other important consequences on the laser behavior; we show for example that the electron and hole carrier densities of the states resonant with lasing modes are never clamped at the threshold value, and that the damping of relaxation oscillations is strongly influenced by the hole dynamics
Data: 2012
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione: Inglese
Parole chiave: quantum dot lasers, modelling of qd lasers, gs power quenching, two state lasing
Dipartimenti (originale): DET - Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
Dipartimenti: DET - Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
URL correlate:
Area disciplinare: Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ELETTRONICA
Data di deposito: 27 Feb 2012 23:06
Data ultima modifica (IRIS): 27 Apr 2016 11:35:25
Data inserimento (PORTO): 29 Apr 2016 03:37
Numero Identificativo (DOI): 10.1063/1.3682574
Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/2495610
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