Energy transfer and energy level decay processes in Tm3+-doped tellurite glass

Tipo di pubblicazione: Articolo su rivista
Tipologia MIUR: Contributo su Rivista > Articolo in rivista
Titolo: Energy transfer and energy level decay processes in Tm3+-doped tellurite glass
Autori: Gomes L.; Lousteau J.; Milanese D.; Scarpignato G.C.; Jackson S.D.
Autori di ateneo:
Titolo del periodico: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Tipo di referee: Tipo non specificato
Editore: American Institute of Physics
Volume: 111
Intervallo pagine: pp. 1-9
Numero di pagine: 9
ISSN: 0021-8979
Abstract: The primary excited state decay and energy transfer processes in singly Tm3þ-doped TeO2:ZnO:Bi2O3:GeO2 (TZBG) glass relating to the 3F4 ! 3H6 1.85 lm laser transition have been investigated in detail using time-resolved fluorescence spectroscopy. Selective laser excitation of the 3H4 manifold at 794 nm, the 3H5 manifold at 1220 nm, and 3F4 manifold at 1760 nm has established that the 3H5 manifold is entirely quenched by multiphonon relaxation in tellurite glass. The luminescence from the 3H4 manifold with an emission peak at 1465 nm suffers strong suppression due to cross relaxation that populates the 3F4 level with a near quadratic dependence on the Tm3þ concentration. The 3F4 lifetime becomes longer as the Tm3þ concentration increases due to energy migration and decreases to 2.92 ms when [Tm3þ]¼4 mol. % as a result of quasi-resonant energy transfer to free OH radicals present in the glass at concentrations between 11018 cm3 and 21018 cm3. Judd-Ofelt theory in conjunction with absorption measurements were used to obtain the radiative lifetimes and branching ratios of the energy levels located below 25 000 cm1. The spectroscopic parameters, the cross relaxation and Tm3þ(3F4) ! OH energy transfer rates were used in a numerical model for laser transitions emitting at 2335 nm and 1865 nm
Data: 2012
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione: Inglese
Parole chiave:
Dipartimenti (originale): DISAT - Dipartimento Scienza Applicata e Tecnologia
Dipartimenti: DISAT - Dipartimento Scienza Applicata e Tecnologia
URL correlate:
    Area disciplinare: Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > SCIENZA E TECNOLOGIA DEI MATERIALI
    Data di deposito: 21 Giu 2012 12:21
    Data ultima modifica (IRIS): 20 Apr 2016 15:55:28
    Data inserimento (PORTO): 25 Apr 2016 04:47
    Numero Identificativo (DOI): 10.1063/1.3694747
    Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/2497664
    Link resolver URL: Link resolver link
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