Engineering the strain field for the control of quantum confinement: An analytical model for arbitrary shape nanostructures

Tipo di pubblicazione: Articolo su rivista
Tipologia MIUR: Contributo su Rivista > Articolo in rivista
Titolo: Engineering the strain field for the control of quantum confinement: An analytical model for arbitrary shape nanostructures
Autori: Mazzer M., De Giorgi M., Cingolani R., Porello G., Rossi F., Molinari E.
Autori di ateneo:
Titolo del periodico: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Tipo di referee: Tipo non specificato
Editore: AIP
Volume: 84
Numero: 7
Intervallo pagine: pp. 3437-3441
Numero di pagine: 5
ISSN: 0021-8979
Abstract: We describe an analytical method to calculate the strain field and the corresponding band gap modulation induced in a quantum well by a surface stressor of arbitrary shape. In this way, it is possible to engineer the confinement potential of different strained nanostructures based on patterned heterojunctions. Band gap modulations up to 130-140 meV are predicted for suitably designed II-VI/III-V and III-V/III-V heterostructures
Data: 1998
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione: Inglese
Parole chiave:
Dipartimenti (originale): NON SPECIFICATO
Dipartimenti: DISAT - Dipartimento Scienza Applicata e Tecnologia
URL correlate:
Area disciplinare:
Data di deposito: 03 Lug 2012 15:14
Data ultima modifica (IRIS): 15 Ott 2013 13:04:37
Data inserimento (PORTO): 18 Apr 2016 00:19
Numero Identificativo (DOI): 10.1063/1.368517
Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/2498484
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Citazioni:

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