Archivio Istituzionale della RicercaA two-dimensional technique for the physical noise majority-carrier modeling of GaAs MESFETs is presented, based upon a computationally efficient 2D implementation of the impedance-field method. Preliminary results concerning an epitaxial device on a semi-insulating substrate are discussed.
A two-dimensional approach to the noise simulation of GaAs MESFETs / Ghione, Giovanni. - (1990), pp. 225-228. (Intervento presentato al convegno Solid State Device Research Conference, 1990. ESSDERC '90. 20th European nel 1990-sept.).
A two-dimensional approach to the noise simulation of GaAs MESFETs
GHIONE, GIOVANNI
1990
Abstract
A two-dimensional technique for the physical noise majority-carrier modeling of GaAs MESFETs is presented, based upon a computationally efficient 2D implementation of the impedance-field method. Preliminary results concerning an epitaxial device on a semi-insulating substrate are discussed.
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https://hdl.handle.net/11583/2499378
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