Statistical prediction of temperature effects inside through-silicon vias by means of orthogonal polynomials

Tipo di pubblicazione: Articolo in atti di convegno
Tipologia MIUR: Contributo in Atti di Convegno (Proceeding) > Contributo in atti di convegno
Titolo: Statistical prediction of temperature effects inside through-silicon vias by means of orthogonal polynomials
Autori: Manfredi P., Canavero F.G.
Autori di ateneo:
Intervallo pagine: pp. 1-3
Editore: Piscataway, N.J. : IEEE
ISBN: 9781467310857
Titolo del convegno: 2012 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium Digest
Luogo dell'evento: Montreal (Canada)
Data dell'evento: 17-22 June
Rilevanza dell'evento: Internazionale
Abstract: This paper presents a stochastic SPICE model for through-silicon vias (TSVs). The model is based on recent state-of-the-art equivalent-circuit models for TSVs and allows to inherently include possible random variations of physical parameters. The underlying idea is the description of the stochastic circuit equations in terms of orthogonal polynomials, whose unknown coefficients are obtained from the deterministic solution of a modified system. An application example involving the stochastic simulation of a TSV in presence of uncertain temperature conditions concludes the paper
Data: 2012
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione: Inglese
Parole chiave:
Dipartimenti (originale): DET - Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
Dipartimenti: DET - Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
URL correlate:
Area disciplinare: Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ELETTROTECNICA
Data di deposito: 07 Set 2012 16:30
Data ultima modifica (IRIS): 11 Dic 2013 09:05:47
Data inserimento (PORTO): 29 Ott 2014 16:49
Numero Identificativo (DOI): 10.1109/MWSYM.2012.6258265
Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/2502226
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