Wigner-function formalism applied to semiconductor quantum devices: Failure of the conventional boundary condition scheme

Tipo di pubblicazione: Articolo su rivista
Tipologia MIUR: Contributo su Rivista > Articolo in rivista
Titolo: Wigner-function formalism applied to semiconductor quantum devices: Failure of the conventional boundary condition scheme
Autori: Rosati R.; Dolcini F.; Iotti R.C.; Rossi F.
Autori di ateneo:
Titolo del periodico: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS
Tipo di referee: Esperti anonimi
Editore: American Physical Society (APS)
Volume: 88
Numero: 3
Intervallo pagine: 035401-1-035401-16
Numero di pagine: 16
ISSN: 1098-0121
Abstract: The Wigner-function formalism is a well-known approach to model charge transport in semiconductor nanodevices. The primary goal of the present article is to point out and explain the intrinsic limitations of the conventional quantum-device modeling based on such a Wigner-function paradigm, providing a definite answer to open questions related to the application of the conventional spatial boundary condition scheme to the Wigner transport equation. Our analysis shows that (i) in the absence of energy dissipation (coherent limit) the solution of the Wigner equation equipped with given boundary conditions is not unique, and (ii) when dissipation and decoherence phenomena are taken into account via a relaxation-time approximation, the solution, although unique, is not necessarily a physical Wigner function
Data: 2013
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione: Inglese
Parole chiave:
Dipartimenti (originale): DISAT - Dipartimento Scienza Applicata e Tecnologia
Dipartimenti: DISAT - Dipartimento Scienza Applicata e Tecnologia
URL correlate:
Area disciplinare: Area 02 - Scienze fisiche > FISICA DELLA MATERIA
Data di deposito: 16 Lug 2013 15:24
Data ultima modifica (IRIS): 17 Mag 2016 11:09:49
Data inserimento (PORTO): 24 Mag 2016 00:43
Numero Identificativo (DOI): 10.1103/PhysRevB.88.035401
Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/2510137
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