A numerical study of low- and high-field carrier transport properties in In0.18Al0.82N lattice-matched to GaN

Tipo di pubblicazione: Articolo su rivista
Tipologia MIUR: Contributo su Rivista > Articolo in rivista
Titolo: A numerical study of low- and high-field carrier transport properties in In0.18Al0.82N lattice-matched to GaN
Autori: Shishehchi S.; Bertazzi F.; Bellotti E.
Autori di ateneo:
Titolo del periodico: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Tipo di referee: Esperti anonimi
Editore: AIP American Institute of Physics
Volume: 113
Numero: 20
Intervallo pagine: 203709-
Numero di pagine: 9
ISSN: 0021-8979
Data: 2013
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione: Inglese
Parole chiave:
Dipartimenti (originale): DET - Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
Dipartimenti: DET - Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
URL correlate:
    Area disciplinare: Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ELETTRONICA
    Data di deposito: 24 Set 2013 17:33
    Data ultima modifica (IRIS): 12 Apr 2016 10:23:53
    Data inserimento (PORTO): 14 Apr 2016 03:35
    Numero Identificativo (DOI): 10.1063/1.4807914
    Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/2515116
    Link resolver URL: Link resolver link
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