A numerical study of low- and high-field carrier transport properties in In0.18Al0.82N lattice-matched to GaN / Shishehchi, S.; Bertazzi, Francesco; Bellotti, E.. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - STAMPA. - 113:20(2013), p. 203709. [10.1063/1.4807914]
A numerical study of low- and high-field carrier transport properties in In0.18Al0.82N lattice-matched to GaN
BERTAZZI, FRANCESCO;
2013
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
https://hdl.handle.net/11583/2515116
Attenzione
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo