Archivio Istituzionale della RicercaProcessing of 50nm gate-length hydrogen terminated diamond FETs for high frequency and high power applications / D. A. J., Moran; D. A., Maclaren; Porro, Samuele; H., Mclelland; P., John; J. I. B., Wilson. - In: MICROELECTRONIC ENGINEERING. - ISSN 0167-9317. - 88:(2011), pp. 2691-2693. [10.1016/j.mee.2010.11.029]
Processing of 50nm gate-length hydrogen terminated diamond FETs for high frequency and high power applications
PORRO, SAMUELE;
2011
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https://hdl.handle.net/11583/2588445
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