Role of defects in the thermal droop of InGaN-based light emitting diodes

Tipo di pubblicazione: Articolo su rivista
Tipologia MIUR: Contributo su Rivista > Articolo in rivista
Titolo: Role of defects in the thermal droop of InGaN-based light emitting diodes
Autori: De Santi, C.; Meneghini, M.; La Grassa, M.; Galler, B.; Zeisel, R.; Goano, M.; Dominici, S.; Mandurrino, M.; Bertazzi, F.; Robidas, D.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Autori di ateneo:
Titolo del periodico: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Tipo di referee: Esperti anonimi
Editore: American Institute of Physics Inc
Volume: 119
Numero: 9
Intervallo pagine: 094501-
Numero di pagine: 10
ISSN: 0021-8979
Abstract: This paper reports an investigation of the physical origin of the thermal droop (the drop of the optical power at high temperatures) in InGaN-based light-emitting diodes. We critically investigate the role of various mechanisms including Shockley-Read-Hall recombination, thermionic escape from the quantum well, phonon-assisted tunneling, and thermionic trap-assisted tunneling; in addition, to explain the thermal droop, we propose a closed-form model which is able to accurately fit the experimental data by using values extracted from measurements and simulations and a limited set of fitting parameters. The model is based on a two-step phonon-assisted tunneling over an intermediate defective state, corrected in order to take into account the pure thermionic component at zero bias and the field-assisted term
Data: 2016
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione: Inglese
Parole chiave: physics and astronomy (all)
Dipartimenti (originale): DET - Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
Dipartimenti: DET - Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
URL correlate:
Area disciplinare: Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ELETTRONICA
Data di deposito: 14 Mar 2016 18:24
Data ultima modifica (IRIS): 14 Mar 2016 17:24:34
Data inserimento (PORTO): 16 Mar 2016 04:33
Numero Identificativo (DOI): 10.1063/1.4942438
Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/2637642
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