Efficient Statistical Simulation of Microwave Devices Via Stochastic Testing-Based Circuit Equivalents of Nonlinear Components

Tipo di pubblicazione: Articolo su rivista
Tipologia MIUR: Contributo su Rivista > Articolo in rivista
Titolo: Efficient Statistical Simulation of Microwave Devices Via Stochastic Testing-Based Circuit Equivalents of Nonlinear Components
Autori: Manfredi, Paolo; Canavero, Flavio G.
Autori di ateneo:
Titolo del periodico: IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES
Tipo di referee: Esperti anonimi
Editore: IEEE
Volume: 63
Numero: 5
Intervallo pagine: pp. 1502-1511
Numero di pagine: 10
ISSN: 0018-9480
Abstract: This paper delivers a considerable improvement in the framework of the statistical simulation of highly nonlinear devices via polynomial chaos-based circuit equivalents. Specifically, a far more efficient and "black-box" approach is proposed that reduces the model complexity for nonlinear components. Based on recent literature, the "stochastic testing" method is used in place of a Galerkin approach to find the pertinent circuit equivalents. The technique is demonstrated via the statistical analysis of a low-noise power amplifier and its features in terms of accuracy and efficiency are highlighted
Data: 2015
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione: Inglese
Parole chiave: integrated circuit modeling, stochastic processes, mathematical model, polynomials, standards, complexity theory, optical wavelength conversion, uncertainty, circuit simulation, microwave circuits, nonlinear circuits, polynomial chaos (pc), power amplifiers, spice, statistical analysis, tolerance analysis
Dipartimenti (originale): DET - Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
Dipartimenti: DET - Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
URL correlate:
Area disciplinare: Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ELETTROTECNICA
Data di deposito: 05 Set 2016 15:53
Data ultima modifica (IRIS): 06 Set 2016 11:16:22
Data inserimento (PORTO): 09 Set 2016 04:42
Numero Identificativo (DOI): 10.1109/TMTT.2015.2417855
Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/2647382
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