Broadband light sources based on InAs/InGaAs metamorphic quantum dots

Tipo di pubblicazione: Articolo su rivista
Tipologia MIUR: Contributo su Rivista > Articolo in rivista
Titolo: Broadband light sources based on InAs/InGaAs metamorphic quantum dots
Autori: Seravalli, L.; Gioannini, M.; Cappelluti, F.; Sacconi, F.; Trevisi, G.; Frigeri, P.
Autori di ateneo:
Titolo del periodico: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Tipo di referee: Esperti anonimi
Editore: American Institute of Physics Inc
Volume: 119
Numero: 14
Intervallo pagine: 143102-1-143102-8
Numero di pagine: 8
ISSN: 0021-8979
Abstract: We propose a design for a semiconductor structure emitting broadband light in the infrared, based on InAsquantum dots(QDs) embedded into a metamorphic step-graded InxGa1−xAs buffer. We developed a model to calculate the metamorphic QD energy levels based on the realistic QD parameters and on the strain-dependent material properties; we validated the results of simulations by comparison with the experimental values. On this basis, we designed a p-i-n heterostructure with a graded index profile toward the realization of an electrically pumped guided wave device. This has been done by adding layers where QDs are embedded in InxAlyGa1−x−yAs layers, to obtain a symmetric structure from a band profile point of view. To assess the room temperature electro-luminescenceemission spectrum under realistic electrical injection conditions, we performed device-level simulations based on a coupled drift-diffusion and QD rate equation model. On the basis of the device simulation results, we conclude that the present proposal is a viable option to realize broadband light-emitting devices
Data: 2016
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione: Inglese
Parole chiave: quantum dots, iii-v semiconductors, light emitting diodes, electroluminescence, emission spectra
Dipartimenti (originale): DET - Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
Dipartimenti: DET - Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
URL correlate:
Area disciplinare: Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ELETTRONICA
Data di deposito: 15 Nov 2016 14:27
Data ultima modifica (IRIS): 24 Nov 2016 14:51:21
Data inserimento (PORTO): 21 Mar 2017 07:11
Numero Identificativo (DOI): 10.1063/1.4945436
Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/2655929
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