Non-monotonic dependence of the current density on the thickness of the photoactive layer

Tipo di pubblicazione: Articolo su rivista
Tipologia MIUR: Contributo su Rivista > Articolo in rivista
Titolo: Non-monotonic dependence of the current density on the thickness of the photoactive layer
Autori: Saracco, G.; Barbero, G.; Hernández, S.; Alexe-Ionescu, A.L.
Autori di ateneo:
Titolo del periodico: JOURNAL OF ELECTROANALYTICAL CHEMISTRY
Tipo di referee: Esperti anonimi
Editore: Elsevier B.V.
Volume: 788
Intervallo pagine: pp. 61-65
Numero di pagine: 5
ISSN: 1572-6657
Abstract: We have developed a mathematical model able to predict the dependence of the current density, j0, in the dc limit, on the thickness of a photoactive semiconductor layer, d, in contact with an electrolyte. The model considers the application of an external bias. The theoretical analysis has been done by means of a diffusive model, where the excess of charges moves by diffusion in the presence of a generation term, due to the incident light, and a recombination term, proportional to the excess of charge carriers. We show that a non-monotonic dependence of j0 vs. d is expected. For small d, the photocurrent density is proportional to d and the proportionality constant is related to both the attenuation of the light in the photoactive semiconductor layer and to the applied potential. In the opposite limit of large d, the current tends to a constant value that is dependent on both the light intensity and the applied bias. Our theoretical predictions are in qualitative agreement with the experimental data reported in literature for BiVO4 films. © 2017 Elsevier B.V.
Data: 2017
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione: Inglese
Parole chiave: electric response of a photo-active material, generation-recombination effect in photoactive material, analytical chemistry, chemical engineering (all), electrochemistry, diffusive model of charges in semiconductors
Dipartimenti (originale): DISAT - Dipartimento Scienza Applicata e Tecnologia
Dipartimenti: DISAT - Dipartimento Scienza Applicata e Tecnologia
URL correlate:
Area disciplinare: Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > CHIMICA INDUSTRIALE E TECNOLOGICA
Area 03 - Scienze chimiche > FONDAMENTI CHIMICI DELLE TECNOLOGIE
Area 02 - Scienze fisiche > FISICA SPERIMENTALE
Data di deposito: 17 Mar 2017 22:27
Data ultima modifica (IRIS): 17 Mar 2017 23:05:03
Data inserimento (PORTO): 21 Mar 2017 00:02
Numero Identificativo (DOI): 10.1016/j.jelechem.2017.01.069
Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/2667270
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