Carrier capture in InGaN/GaN quantum wells: Role of electron-electron scattering

Tipo di pubblicazione: Articolo su rivista
Tipologia MIUR: Contributo su Rivista > Articolo in rivista
Titolo: Carrier capture in InGaN/GaN quantum wells: Role of electron-electron scattering
Autori: Vallone, Marco; Goano, Michele; Bertazzi, Francesco; Ghione, Giovanni
Autori di ateneo:
Titolo del periodico: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Tipo di referee: Esperti anonimi
Editore: American Institute of Physics Inc.
Volume: 121
Numero: 12
Intervallo pagine: 123107-
Numero di pagine: 7
ISSN: 0021-8979
Data: 2017
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione: Inglese
Parole chiave:
Dipartimenti (originale): DET - Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
Dipartimenti: DET - Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
URL correlate:
Area disciplinare: Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ELETTRONICA
Data di deposito: 12 Apr 2017 13:48
Data ultima modifica (IRIS): 20 Apr 2017 11:01:44
Data inserimento (PORTO): 22 Apr 2017 02:08
Numero Identificativo (DOI): 10.1063/1.4979010
Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/2669043
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Citazioni:

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