Archivio Istituzionale della RicercaA numerical study of low- and high-field carrier transport properties in In0.18Al0.82N lattice-matched to GaN / Shishehchi, S.; Bertazzi, Francesco; Bellotti, E.. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - STAMPA. - 113:20(2013), p. 203709. [10.1063/1.4807914]
A numerical study of low- and high-field carrier transport properties in In0.18Al0.82N lattice-matched to GaN
BERTAZZI, FRANCESCO;
2013
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https://hdl.handle.net/11583/2515116
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