Influence of doping on the structural and optoelectronic properties of amorphous and microcrystalline silicon carbide

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Tipo di pubblicazione: Articolo su rivista
Tipologia MIUR: Contributo su Rivista > Articolo in rivista
Titolo: Influence of doping on the structural and optoelectronic properties of amorphous and microcrystalline silicon carbide
Autori: F. Demichelis; Pirri C.; E. Tresso
Autori di ateneo:
Titolo del periodico: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Tipo di referee: Tipo non specificato
Volume: 72
Intervallo pagine: pp. 1327-1331
ISSN: 0021-8979
Data: 1992
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione: Inglese
Parole chiave:
Dipartimenti (originale): NON SPECIFICATO
Dipartimenti: DISAT - Dipartimento Scienza Applicata e Tecnologia
URL correlate:
    Area disciplinare:
    Data di deposito: 03 Apr 2008 08:03
    Data ultima modifica (IRIS): 24 Set 2016 09:36:58
    Data inserimento (PORTO): 26 Set 2016 04:31
    Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/1661084
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