Effective gap at microwave frequencies in MgB2 thin films with strong interband scattering

Tipo di pubblicazione: Articolo su rivista
Tipologia MIUR: Contributo su Rivista > Articolo in rivista
Titolo: Effective gap at microwave frequencies in MgB2 thin films with strong interband scattering
Autori: G. Ghigo; D. Botta; A. Chiodoni; L. Gozzelino; R. Gerbaldo; F. Laviano; E. Mezzetti; E. Monticone; C. Portesi
Autori di ateneo:
Titolo del periodico: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS
Tipo di referee: Tipo non specificato
Volume: 71
Intervallo pagine: 214522-1-214522-6
Numero di pagine: 6
ISSN: 1098-0121
Abstract: The microwave properties of polycrystalline MgB2 thin films prepared by the so-called in situ method are investigated. The characterization of the films at microwave frequencies was obtained by a coplanar resonator technique. The analysis of the experimental data results in the determination of penetration depth, surface impedance, and complex conductivity. The aim of this work is to set the experimental results in a consistent framework, involving the two-band model in the presence of impurity scattering. The energy gaps are calculated and the contribution of intra- and interband scattering is considered. From the comparison between the calculated gap values and the experimental data it turns out that the temperature dependence of the penetration depth can be accounted for by an effective mean energy gap, in agreement with the predictions of V. G. Kogan and N. V. Zhelezina Phys. Rev. B 69, 132506 2004. On the other hand, the temperature dependence of the real part of the microwave conductivity and of the surface resistance is accounted for by the single smaller gap, in agreement with the work of B. B. Jin, T. Dahm, A. I. Gubin, E.-M. Choi, H. J. Kim, S.-I. Lee, W. N. Kang, and N. Klein Phys. Rev. Lett. 91, 127006 2003. Since these findings rely on the same calculated gap structure, the required consistency is fulfilled
Data: 2005
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione: Inglese
Parole chiave:
Dipartimenti (originale): DIFIS - Fisica
Dipartimenti: DISAT - Dipartimento Scienza Applicata e Tecnologia
URL correlate:
    Area disciplinare: Area 02 - Scienze fisiche > FISICA SPERIMENTALE
    Data di deposito: 05 Set 2008 12:33
    Data ultima modifica (IRIS): 15 Ott 2013 12:56:24
    Data inserimento (PORTO): 24 Ott 2014 22:25
    Numero Identificativo (DOI): 10.1103/PhysRevB.71.214522
    Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/1676365
    Link resolver URL: Link resolver link
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