Effects of dislocation density on injection and temperature sensitivity of InGaN LED emission spectra: a combined experimental and simulation approach

Tipo di pubblicazione: Articolo in atti di convegno
Tipologia MIUR: Contributo in Atti di Convegno (Proceeding) > Contributo in atti di convegno
Titolo: Effects of dislocation density on injection and temperature sensitivity of InGaN LED emission spectra: a combined experimental and simulation approach
Autori: Goano M., Chiaria S., Calciati M., Bertazzi F., Ghione G., Meneghini M., Ferretti M., Meneghesso G., Zanoni E., Bellotti E., Zhu D., Humphreys C.
Autori di ateneo:
Titolo del convegno: 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
Luogo dell'evento: Glasgow, U.K
Data dell'evento: July 2011
Rilevanza dell'evento: Internazionale
Data: 2011
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione: Inglese
Parole chiave:
Dipartimenti (originale): DELEN - Dipartimento di Elettronica
Dipartimenti: DET - Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
URL correlate:
    Area disciplinare: Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ELETTRONICA
    Data di deposito: 01 Set 2011 17:18
    Data ultima modifica (IRIS): 25 Nov 2013 11:02:57
    Data inserimento (PORTO): 13 Gen 2016 18:20
    Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/2439008
    Link resolver URL: Link resolver link

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    PDF (2011Goano_ICNS) - Presentazione/Abstract
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