Effects of Temperature in Deep-Submicron Global Interconnect Optimization

Tipo di pubblicazione: Articolo in atti di convegno
Tipologia MIUR: Contributo in Atti di Convegno (Proceeding) > Contributo in atti di convegno
Titolo: Effects of Temperature in Deep-Submicron Global Interconnect Optimization
Autori: M.R. Casu, M. Graziano, G. Masera, G. Piccinini, M. Zamboni
Autori di ateneo:
Intervallo pagine: pp. 90-100
Titolo del periodico: LECTURE NOTES IN COMPUTER SCIENCE
Tipo di referee: Esperti anonimi
Editore: Springer
ISSN: 0302-9743
Volume: 2799
Titolo del convegno: Integrated Circuit and System Design. Power and Timing Modeling, Optimization and Simulation
Luogo dell'evento: Turin
Data dell'evento: September 2003
Abstract: The resistance of on-chip interconnects and the current drive of transistors is strongly temperature dependent. As a result, the interconnect performance is affected by the temperature in a sizeable proportion. In this paper we evaluate thermal effects in global RLC interconnects and quantify their impact in a standard optimization procedure in which repeaters are used. By evaluating the difference between a simple RC and an accurate RLC model, we show how the temperature induced increase of resistance may reduce the impact of inductance. We also project the evolution of such effects in future technology nodes, according to the semiconductor roadmap
Data: 2003
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione: Inglese
Parole chiave:
Dipartimenti (originale): DELEN - Dipartimento di Elettronica
Dipartimenti: DET - Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
URL correlate:
Area disciplinare: Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ELETTRONICA
Data di deposito: 13 Lug 2012 19:53
Data ultima modifica (IRIS): 08 Feb 2015 04:05:42
Data inserimento (PORTO): 09 Feb 2015 01:05
Numero Identificativo (DOI): 10.1007/b12033
Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/2500983
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Citazioni:

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