A new MagFET-based integrated current sensor highly immune to EMI

Tipo di pubblicazione: Articolo su rivista
Tipologia MIUR: Contributo su Rivista > Articolo in rivista
Titolo: A new MagFET-based integrated current sensor highly immune to EMI
Autori: Orazio Aiello; Franco Fiori
Autori di ateneo:
Titolo del periodico: MICROELECTRONICS RELIABILITY
Tipo di referee: Esperti anonimi
Editore: Microelectronics Reliability
Volume: 53
Numero: 4
Intervallo pagine: pp. 573-581
Numero di pagine: 9
ISSN: 0026-2714
Abstract: This paper deals with the susceptibility to radio frequency interference of the integrated circuits used to monitor the current of power devices. A circuit based on the mirroring principle of common use in commercial devices is first considered, then a new contact-less fully integrated current sensor based on the Hall effect is proposed. The design of this current sensor is shown in detail and its susceptibility to radio frequency interference is investigated through time-domain simulations. The results of these analyses are presented then compared with those obtained from similar analysis carried out on a conventional (wired) current sensor
Data: 2013
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione: Inglese
Parole chiave:
Dipartimenti (originale): DET - Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
Dipartimenti: DET - Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni
URL correlate:
    Area disciplinare: Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ELETTRONICA
    Data di deposito: 26 Mar 2013 15:26
    Data ultima modifica (IRIS): 07 Apr 2016 13:56:12
    Data inserimento (PORTO): 09 Apr 2016 03:33
    Numero Identificativo (DOI): 10.1016/j.microrel.2012.10.013
    Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/2506424
    Link resolver URL: Link resolver link
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