Archivio Istituzionale della RicercaElectrical analysis and interface states evaluation of Ni Schottky diodes on 4H-SiC thick epilayers / Porro, Samuele; Rafal R., Ciechonski; Mikael, Syväjärvi; Rositza, Yakimova. - In: PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH. - ISSN 0031-8965. - 202:(2005), pp. 2508-2514. [10.1002/pssa.200521147]
Electrical analysis and interface states evaluation of Ni Schottky diodes on 4H-SiC thick epilayers
PORRO, SAMUELE;
2005
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
https://hdl.handle.net/11583/2588458
Attenzione
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo