Effect of annealing and hydrogen plasma treatment on the luminescence and persistent photoconductivity of polycrystalline ZnO films

Tipo di pubblicazione: Articolo su rivista
Tipologia MIUR: Contributo su Rivista > Articolo in rivista
Titolo: Effect of annealing and hydrogen plasma treatment on the luminescence and persistent photoconductivity of polycrystalline ZnO films
Autori: Abdullin, Kh.A.; Cicero, G.; Gritsenko, L.V.; Kumekov, S.E.; Markhabaeva, A.A.
Autori di ateneo:
Titolo del periodico: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Editore: American Institute of Physics Inc.
Volume: 121
Numero: 24
Intervallo pagine: pp. 245303-245306
Numero di pagine: 4
ISSN: 0021-8979
Abstract: Photoluminescence (PL) and electrical properties of boron doped zinc oxide (ZnO) thin films, deposited by metalorganic chemical vapour deposition on a glass substrate, were investigated. The effects of annealing in air, as well as the influence of the radiofrequency—plasma treatment in hydrogen atmosphere, on the PL and electrical conductivity of the ZnO films were studied. A correlation between photoluminescence and electrical properties during annealing was observed. Hydrogen plasma treatment causes an increase in the carrier mobility and concentration and results in a very intensive near band edge emission (NBE). It was found that defects responsible for the dramatic increase in the intensity of NBE band in the hydrogen-treated ZnO films are hydrogen-related complexes formed near or at the surface of the samples. The intensity of NBE in hydrogen-treated samples decreases after aging in the dark, and, conversely, the NBE intensity increases under UV light illumination. This effect is fully reversible and depends on the gas atmosphere during the UV exposure and subsequent aging. It was proposed that the NBE band in the ZnO films annealed in the air and treated in hydrogen plasma emerges due to O-H complexes forming at zinc vacancy sites, n(O-H)-VZn.
Data: 2017
Status: Pubblicato
Lingua della pubblicazione: Inglese
Parole chiave: materials science
Dipartimenti (originale): DISAT - Dipartimento Scienza Applicata e Tecnologia
Dipartimenti: DISAT - Dipartimento Scienza Applicata e Tecnologia
URL correlate:
Area disciplinare: Area 02 - Scienze fisiche > FISICA DELLA MATERIA
Data di deposito: 13 Lug 2017 14:07
Data ultima modifica (IRIS): 13 Lug 2017 14:11:18
Data inserimento (PORTO): 15 Lug 2017 02:02
Numero Identificativo (DOI): 10.1063/1.4989826
Permalink: http://porto.polito.it/id/eprint/2676470
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